Samsung heeft de ontwikkeling van zijn eerste gddr7-geheugen voltooid. Dit type vram moet snelheden van 32 Gbps per pin kunnen behalen, wat 33% sneller is dan het snelste gddr6(x) (24 Gbps). De eerste generatie van de nieuwe geheugenstandaard wordt dit jaar getest in producten van klanten, die in de loop van 2024 op de markt worden verwacht.
Eind vorige maand heeft ook Micron de komst van zijn gddr7-geheugen aangekondigd.
De fabrikant heeft de verhoogde snelheden behaald dankzij het gebruik van PAM 3-signalering (Pulse Amplitude Modulation). In vergelijk met Non Return to Zero van de vorige generaties moet PAM 3 tot 50% meer data kunnen doorvoeren bij dezelfde klokcyclus. Bovendien is gddr7 20% efficiënter dan zijn voorganger. Er komt ook een variant met een lagere spanning (zoals voor laptops), al treedt men niet in detail.
Verder heeft het Zuid-Koreaanse bedrijf extra aandacht besteed aan de warmteontwikkeling. Door de combinatie van packaging-materiaal op basis van epoxy en optimalisaties aan de chiparchitectuur heeft men naar eigen zeggen de thermische weerstand met 70% kunnen verlagen ten opzichte van gddr6. Dit moet de stabiliteit garanderen bij hoge snelheden.
Bron: Samsung
