Ondanks de lage vraag naar ssd's staat Samsung toch in de startblokken om aankomend jaar gebruik te maken van 'double-stack'-architectuur in zijn 9de generatie 3d-nand geheugen. Samsung's 9de generatie V-nand zou meer dan 300 lagen bevatten en dit zou bereikt worden door de 'double-stack'-techniek, waarbij een enkele stapel 3d-nand op een wafer wordt gemaakt, waarna deze wordt samengevoegd met een tweede stapel. Samsung gebruikt deze techniek al sinds 2020 met de 7de generatie nand-chips die tot 176 lagen ging.
Dit is anders dan de aanpak van SK Hynix, die 'triple-stacking' wil toepassen om tot 321 lagen te komen in 2025. Door meer lagen toe te voegen aan een nand-chip gaat de opslagsdichtheid omhoog en door zoveel mogelijk lagen op een enkele wafer te maken wil Samsung de kosten drukken. Dit zou volgens het bedrijf goedkopere ssd's betekenen. De aanpak van SK Hynix heeft als voordeel dat de yields makkelijker hoog te houden zijn door minder lagen op een enkele wafer te maken, maar dit zorgt wel voor meer productiestappen en meer gebruik van grondstoffen.
SK Hynix gebruikt 'triple-stacking' in aankomende chips
Er wordt, dankzij gelekte roadmaps, verwacht dat Samsung voor zijn 10de generatie 3d-nand ook gebruik zal maken van 'triple-stacking' om tot 430 lagen te komen. Mogelijk is dit de enige manier om acceptabele yields te behouden voor zoveel lagen. Dit zal dan wel betekenen dat de kosten en materiaalgebruik omhoog gaan. Samsung zou in 2030 zelfs tot duizend lagen willen gebruiken in zijn 3d-nand-chips.
Bron: Tom's Hardware
