[Pro] Samsung 845DC EVO / Pro SSD review: datacenter SSD's

Samsung 845DC Evo

De 845DC Evo drives zijn gebaseerd op TLC-geheugen en dat zal voor velen even schrikken zijn. Zoals bekend wordt bij TLC drie bits per geheugencel opgeslagen, ten opzichte van 2 bits per cel bij het gebruikelijke MLC-geheugen. Dat geeft de fabrikant bij TLC een groot kostenvoordeel, maar er zijn ook nadelen: allereerst is de schrijfsnelheid bij TLC-geheugen een stuk lager en ten tweede is de endurance, ofwel het aantal keren dat een geheugencel overschreven kan worden, in de regel ook veel lager.

Over dat laatste schreven we in onze reviews van de op TLC-gebaseerde Samsung 840 en Samsung 840 Evo SSD's dat je je geen zorgen hoeft te maken voor consumententoepassingen (iets wat we met een tweeëneenhalve maand durende torture test ook bewezen), maar dat je TLC-flash vooral niet voor server toepassingen moet gebruiken... en dat is precies wat Samsung nu doet!

Klaarblijkelijk heeft men het TLC-productieprocedé inmiddels dusdanig op orde dat men een gedegen endurance kan garanderen. Voor de 240GB, 480GB en 960GB varianten van de 845DC Evo belooft Samsung minimaal respectievelijk 150TB, 300TB en 600TB aan schrijfopdrachten. Tijdens onze torture test van een Samsung 840 250GB kwamen we overigens al over de 700 TB, het grote verschil is dat Samsung nu garanties afgeeft. Een dergelijke endurance is voor een read-intensive server workload, zoals een webserver, prima. De waardes zijn overigens vergelijkbaar met wat Intel belooft met haar DC S3500 enterprise SSD's die op dezelfde doelgroep gericht worden: de 480GB daarvan heeft een TBW-opgave van 275TB.

De 845DC Evo SSD's zijn gebaseerd op dezelfde Samsung MEX-controller als de Samsung 840 Evo en 850 Pro SSD's, uiteraard met een specifiek voor data center gebruik geoptimaliseerde firmware. Waar de SSD's volgens Samsung vooral ook moeten uitblinken is de consistentie van de prestaties. Juist in servers is dat inderdaad van belang: als systeembeheerder heb je liever voorspelbare prestaties dan zo hoog mogelijke prestaties. Een hoge consistentie zorgt ook voor betere prestaties in een RAID-array. 99,9% van de leesopdrachten op een 845DC zou volgens Samsung een maximale latency van 0,6ms moeten hebben.

Een andere voor servers zeer belangrijke feature is de aanwezigheid van een rijtje tantalum condensators die bij eventuele stroomuitval nog voldoende vermogen opgespaard hebben om alle gebufferde data veilig naar flash te verplaatsen. Op onderstaande foto's van het 960GB model zijn de condensators duidelijk te zien.

De opgegeven snelheden zijn in vergelijking met state-of-the-art consumten SSD's niet bijzonder: Samsung belooft leessnelheden tot 530 MB/s en schrijsnelheden tot 410 MB/s (480GB/960GB) respectievelijk 270 MB/s (240GB). 

In onderstaande tabel vind je de exacte specificaties van de door ons geteste modellen:

Algemeen
Merk	Samsung	Samsung	Samsung
Productnaam	845DC Evo 240GB	845DC Evo 480GB	845DC Evo 960GB
Productcode	MZ-7GE240EW	MZ-7GE480EW	MZ-7GE960EW
Details	Productinfo	Productinfo	Productinfo
Specificaties
Harddisk of SSD	SSD	SSD	SSD
Opgegeven capaciteit	240 GB	480 GB	960 GB
Cache geheugen	512 MB	512 MB
Interface	Serial ATA 600	Serial ATA 600	Serial ATA 600
SSD controller	Samsung MEX (S4LN045X01)	Samsung MEX (S4LN045X01)	Samsung MEX (S4LN045X01)
Beschikbare capaciteit in Windows	223 GB	447 GB	894 GB
Native Command Queuing
TRIM ondersteuning
Type flashgeheugen	Triple-level cell (TLC)	Triple-level cell (TLC)	Multi-level cell (MLC)
Merk flashchips	Samsung	Samsung	Samsung
Transistorgrootte flashchips	19 nm	19 nm	19 nm
Garantie	5 jaar	5 jaar	5 jaar
Opgegeven schrijfcapaciteit (Total Bytes Written / TBW)	150 TB	300 TB	600 TB
Snelheden
Leessnelheid (sequentieel)	430 MB/s	530 MB/s	530 MB/s
Schrijfsnelheid (sequentieel)	270 MB/s	410 MB/s	410 MB/s
Leessnelheid (4k random)	87000 IOps	87000 IOps	84000 IOps
Schrijfsnelheid (4k random)	12000 IOps	14000 IOps	14000 IOps
Fysieke eigenschappen
Form-factor	2.5 inch	2.5 inch	2.5 inch
Hoogte	6.8 mm	6.8 mm	6.8 mm