SK Hynix heeft middels een persbericht aangekondigd dat het start met de massaproductie van 3D-nand met 128 lagen en een opslagcapaciteit van 1 Terabit (lees: grofweg 120 GB) per chip.
Volgens de chipmaker betekent dit dat het aantal chips dat nodig is voor het maken van een nand-package voor een smartphone met 1 Terabyte aan opslagcapaciteit met de helft kan worden verlaagd, ten opzichte van nand met een capaciteit van 512 Gigabit per chip. Waarschijnlijk bedoelt Hynix met het nand van 512 Gb zijn eigen geheugen met 72 lagen; de chips voor smartphones die hier gebruik van maken hebben een capaciteit van 512 Gb.
Het geheugen kan drie bits per cel opslaan, het gaat dus om tlc-geheugen. De fabrikant noemt ook qlc-chips van 1 Terabit, maar de tlc-chips komen eerst op de markt. Momenteel is tlc verantwoordelijk voor meer dan 85% van de nand-markt, aldus SK Hynix. Daarnaast zorgt het tlc-geheugen in de regel voor een langere levensduur ten opzichte van qlc.
Ook bij deze generatie wordt gebruik gemaakt van de '4D-technologie' die het eerder introduceerde. Desondanks de 32 extra lagen ten opzichte van het bestaande 96-laags geheugen kreeg het bedrijf het voor elkaar om het aantal productiestappen met 5% te verminderen. Daardoor kon het de investeringskosten van het overstappen van 96-laags geheugen naar 128-laags geheugen met 60% verminderen ten opzichte van de kosten in de vorige transitieperiode.
Het moet per chip een snelheid van 1.400 Megabits per seconde halen op 1,2 volt, waarbij gebruik wordt gemaakt van de nieuwe ufs 3.1-standaard. Het is de bedoeling dat er een consumenten-ssd op de markt zal verschijnen van 2 TB, met een controller die door SK Hynix zelf is gemaakt. Volgend jaar komen er ook nvme-ssd's voor datacentra van 16 en 32 Terabyte, waarschijnlijk met het liniaal-formaat.
Het 128-laags geheugen zal vanaf de tweede helft van dit jaar verkocht gaan worden, er komen verschillende varianten van het flashgeheugen. De volgende generatie nand met 176 lagen is ook al in ontwikkeling.
Bron: SK Hynix
