Tijdens de vandaag gehouden vijfde editie van het jaarlijkse Samsung Foundry Forum heeft het bedrijf zijn visie gedeeld voor de snel vernieuwende markt voor chipfabrieken. Er zijn plannen aangekondigd voor de migratie naar 3 en 2 nanometer in de komende jaren met de gate-all-around-transistorstructuur. Dr. Siyoung Choi, president en hoofd van Foundry Business bij Samsung Electronics zegt dat de productiecapaciteit uitgebreid wordt om aan de toegenomen vraag door de verdergaande digitalisering te voldoen.
Samsung's implementatie van een gate-all-around field-effect transistor of gaafet, die multi-bridge-channel fet of mbcfet genoemd wordt, moet op 3 nanometer een 35 procent hogere dichtheid, 30 procent betere prestaties of 50 procent lager stroomverbruik behalen vergeleken met 5nm. De yields komen in de buurt van die van 4nm-processen die op dit moment in massaproductie zijn. Ondanks eerdere problemen worden de eerste 3nm-chips voor klanten in de eerste helft van 2022 geproduceerd, met de tweede generatie in 2023. 2 nanometer-producten staan voor 2025 op de planning.
Een nieuw 8nm-platform voor radio frecuency-toepassingen moet geschikt zijn voor de 5G-markt van sub-6GHz-frequenties tot mmWave-golflengtes. Het 14nm-procedé wordt verbeterd om 3,3 volt en sneller en compacter embedded mram te ondersteunen. Het 17 nanometer-finfet-proces is bedoeld voor voordelige en specifieke producten, met ongeveerr 40 procent minder oppervlakte en meer prestaties en bijna 50 hogere efficiëntie ten opzichte van het oude 28nm-proces.
Bron: TechPowerUp
