Begin dit jaar ging het nieuws dat Samsung moeite heeft om zijn 3nm-node op basis van de gaafet-technologie, lekstroom werd al belangrijkste reden genoemd. Nu heeft de fabrikant op zijn Foundry Forum aangekondigd dat de eerste helft van 2022 deze 3nm-node op basis van de techniek in productie zal treden.
Dat schrijft EE Times, die de conferentie heeft bijgewoond. Gaafet staat voor gate-all-around fet, de gate omringt dus volledig de transistor. Het is moeilijk om de yields hoog genoeg te krijgen voor deze techniek. Nu heeft Samsung onthuld dat de techniek een 35% hogere transistordichtheid mogelijk moet maken, samen met 30% hogere prestaties of een stroomverbruik dat 50% lager ligt ten opzichte van het oudere 7nm-procedé. Gaafet geeft meer mogelijkheden om de hoogte en breedte van de vinnen te bepalen ten opzichte van finfet, daardoor zijn kleinere gates mogelijk.
Daarnaast verklaarde Samsung dat ook 14nm- en 17nm-nodes door worden ontwikkeld. De 17nm-node is een combinatie van een front-end-of-line op 14 nm en een back-end-of-line op 28 nm, om zo een tussenstap te vormen tussen de twee nodes. Er wordt ook gesproken over 'microbumps' (gaatjes in chips om chips met elkaar te verbinden), hybrid bonding en '3.5D-ontwerpen' met meerdere op elkaar gestapelde chips op een interposer.
Bron: EE Times
