TSMC gaat nanosheets gebruiken in zijn 2nm-procedé, dat in de loop van 2025 in productie zal worden genomen. De overstap van fin field-effect-transistors (FinFET) naar deze technologie moet naar eigen zeggen bijdragen om het stroomverbruik van geavanceerde chips verder te kunnen verlagen.
Nanosheets zijn een type gate-all-around field-effect-transistors (GAAFET), waarbij zwevende transistorvinnen worden omringd door een gate. Samsung zal de eerste zijn die nanosheets toepast in zijn 3nm-proces. Bernstein-analist Mark Li betwijfelt echter dat de technologie voldoende op punt staat: vanwege de risico's zouden Nvidia en Qualcomm voor TSMC hebben gekozen. Ook Intel verwacht zijn 20A-proces met RibbonFETs in de eerste helft van 2024, al is Li er niet van overtuigd dat team blauw deze deadline zal halen.
Samsungs 3GAE (MBCFET) zal dit jaar nog in productie gaan.
De Taiwanese chipbakker geeft aan dat zijn 3nm-procedé, dat later dit jaar wordt verwacht, lang courant zal blijven. Gezien de extra kosten van het meer geavanceerde 2nm, meldt TSMC-topman Kevin Zhang dat beide productieprocessen voor een lange tijd naast elkaar zullen worden aangeboden. Zhang verwacht dat klanten die de nadruk leggen op efficiëntie als eerste zullen overschakelen naar 2 nanometer.
Bron: EETimes
