IBM presenteerde de concept-transistor op IEEE 2023 eerder deze maand. De transistor was opgebouwd uit een nanosheet structuur in plaats van het gangbare FinFET. Dat was echter niet het enige bijzondere aan de schakeling, deze presteerde namelijk ook heel goed op het kookpunt van vloeibare stikstof.
Een nanosheet transistor is een vorm van Gate-all-around(GAA) transistors waar meerdere fabrikanten op dit moment mee bezig zijn. Dit is omdat deze structuur veelbelovende eigenschappen heeft wanneer chips kleiner dan "3nm" worden geproduceerd. Het is dan ook de gedoodverfde opvolger van de alomtegenwoordige FinFET-structuur. Vanaf het 2nm-proces van TSMC en 20Å-proces van Intel worden chips verwacht op basis van GAA-transistors.
Wat deze demonstratie ook liet zien, is dat deze structuur zich mogelijk goed laat lenen voor gebruik in extreem lage temperaturen. Hiermee kan ook bij huidige chips de prestaties behoorlijk verhoogd worden, maar vaak zijn de chips niet bepaald stabiel met zo'n temperatuur. De concept-transistor was gemaakt met het idee voor vloeibare stikstof koeling in gedachte, en kon dus stabiel blijven werken op dergelijke temperaturen. Dit leverde ook bijna een verdubbeling van prestaties op vergeleken met kamertemperatuur. Ook was het energieverbruik lager, wat in een chip een hogere dichtheid van transistors mogelijk zou kunnen maken. Mogelijk maakt dit de weg vrij voor een geheel nieuwe klasse aan AI en HPC-chips die gekoeld worden met vloeibare stikstof voor nog hogere prestaties.
Bron: Techspot
