De semiconductor-tak van Samsung heeft bij de presentatie van een paper verklaard dat Intel nu officieel achterloopt als het gaat om de verdere verkleining van het productieproces. Samsung heeft een sram-geheugencel geproduceerd volgens zijn 7nm-proces waarbij gebruik wordt gemaakt van EUV. Die cel is ruim 15% kleiner dan soortgelijke cellen op Intels 10nm-proces.
Een vice president van de 'design enablement'-afdeling sprak bij de presentatie over "real, working silicon" met yields boven de 80 procent. Daarmee wil hij de zorgen bij analisten over de mate van productierijpheid wegnemen. In de paper worden technieken beschreven waarmee de bitlijnweerstand van de geheugencel met 75% is teruggedrongen, één van de grootste uitdagingen bij massaproductie volgens het 7nm-procedé. Bij de productie van de chip is bij minstens vier tot zes lagen EUV-straling gebruikt.
Intel had de afgelopen jaren een flinke voorsprong opgebouwd met zijn productietechniek: lange tijd kwamen concurrenten Samsung en TSMC niet in de buurt bij de transistordichtheid van Intel. Bij zijn 14nm- en 10nm-processen liep het echter tegen veel problemen aan, waardoor de roadmaps vertraging opliepen. Zo veel vertraging dat Samsung Intel nu voorbij heeft gestreefd, naar eigen zeggen.
Sram is een vluchtig type geheugen dat relatief eenvoudig te produceren is. In de opmaat naar de komst van nieuwe productieprocedés wordt het daarom vaak als eerste stap gebruikt. Echte massaproductie van complexe chips op 7 nm plant Samsung pas voor de tweede helft van 2019.
Een op Samsungs 7nm-procedé geproduceerde sram-geheugencel.
Bron: EE Times
