Backside power delivery network (BSPDN) voor toekomstige chips wordt al enige tijd genoemd als een grote stap vooruit van aankomende procestechnieken. Intel en TSMC praten er al enige tijd over en nu heeft Samsung ook wat informatie rond zijn experimenten vrijgegeven. Het lijkt erop dat het bedrijf significante voordelen van deze ontwikkeling verwacht.
Samsung Electronics presenteerde een paper op het VLSI-symposium eind juni, waarin het gebruik van BSPDN het oppervlakte van een onbekende processor verkleinde met 14.8% tegenover het traditionele frontside power delivery network (FSPDN). In de paper wordt ook gesproken over twee specifieke Arm stroomkringen waarvan de oppervlakte met 10.6% en 19% afnam. Een groot voordeel van minder oppervlaktegebruik is dat chips over het algemeen goedkoper worden als ze kleiner zijn. Een andere optie is dat ze dezelfde grootte blijven en meer transistors bevatten, wat een krachtigere chip betekent. Buiten de chipgrootte werd er een 9.2% vermindering in de lengte van de stroomtoevoerdraden vastgesteld. De stroomtoevoerdraden kunnen ook dikker zijn wat minder weerstand betekent en daarmee mogelijk hogere stroomtoevoer. Deze verbeteringen kunnen allemaal leiden tot meer performante chips.
Illustratie van verschil tussen BSPDN en FSPDN door Samsung
Niet alleen Samsung is hiermee bezig; dit jaar heeft Intel aangegeven dat BSPDN gebruikt zal worden vanaf zijn 20A-productieproces. De voordelen worden nu verduidelijkt door Samsung's bevindingen. Samsung heeft echter nog niet aangegeven wanneer het BSPDN in zijn producten zal incorporeren. Op dit moment is Samsung bezig met het verbeteren van zijn 3nm GAA-transistors en het klaarmaken van 2nm voor massaproductie in 2025.
Bronnen: Tom's Hardware, Twitter
