Nieuwe 3 en 5 nanometer-nodes: N3 en N4
TSMC’s N3-node op 3 nanometer moet in de tweede halft van 2022 in massaproductie komen en dan het meest geavanceerde proces ter wereld zijn. Er wordt nog gebruik gemaakt van FinFET-technologie, waar de 2 nanometer-producten die pas vanaf 2023 verwacht worden gebruik moeten gaan maken van gate-all-around-transistors. Ten opzichte van N5 moeten er prestatieverbeteringen tot 15 procent zijn, of een 30 procent lager stroomverbruik. Door de kleinere onderdelen zal er een dichtheidsverhoging tot wel 70% zijn.
De ontwikkeling van de verbeterde N4-node voor 5 nanometer loopt voorspoedig sinds de aankondiging in 2020. Door de vrij grote overeenkomsten met N5 en de reductie van het aantal benodigde lagen is de verwachting dat in het derde kwartaal van dit jaat begonnen kan worden met de risicoproductie.
7nm-N6RF voor 5G en Wi-Fi 6/6E met sub-6GHz en mmWave
5G-chips in smartphones gebruiken meer stroom en ruimte dan hun 4G-tegenhangers. Deze ruimte gaat ten koste van bijvoorbeeld de accugrootte. Het N6RF-proces moet de kleinere N6-node naar radiofrequentie-oplossingen brengen. Naast 16% hogere prestaties zijn er minder stroom en oppervlakte nodig dan de vorige RF-generatie op 16 nanometer. Het procedé is bedoeld voor sub-6 gigahertz en millimeterwave spectrumbanden voor 5G en wifi 6 en 6E.
