Implanteren
Om het silicium als transistor te laten werken, moeten bepaalde gedeeltes zoals geschreven licht vervuild worden met atomen die juist meer of minder elektronen hebben, ofwel zogenaamde ionen. In onderstaande afbeelding zie je een transistor in een vergevorderd stadium van de productie: het kanaal is al voorzien van de juiste implantaten, de gate is al geplaatst en nu is het de beurt aan de source en drain gedeeltes van de transistor om de juiste ionen geïmplanteerd te krijgen. Opnieuw komt hierbij de fotogevoelige vloeistof om de hoek kijken; door deze te plaatsen en daarna met een UV-masker op de juiste plekken weer weg te halen, wordt ervoor gezorgd dat alleen de plekken waar de ionen moeten worden toegevoegd aan de bovenkant open zijn.
Het implanteren van ionen wordt getoond in de tweede afbeelding. Om het silicium de juiste samenstellingen te geven worden middels een elektrisch veld de extra atomen op ongekende snelheid op de wafer afgevuurd. De ionen bereiken snelheden tot boven de 300.000 kilometer per uur en met die snelheden dringen ze door tot in het silicium. De fotolaag zorgt er opnieuw voor dat alleen de juiste gedeeltes geïmplanteerd worden, zoals je ook ziet bij het eindresultaat van de derde afbeelding.
Vóór het implaneteren met ionen wordt er opnieuw een fotogevoelige laag en UV-maskering toegepast.
Ionen worden met een snelheid van 300.000 km/u op de wafer afgevuurd.
Uiteindelijk zijn source en drain van de juiste hoeveelheid ionen voorzien.
